Browsing by Author "BENDJAMA Nihed"

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    Etude et analyse des fils de soudage pour la réalisation des cordons par le procédé CMT
    (Ecole Nationale Supérieure de Technologie et d'Ingénierie. Annaba (Ex ENSMM), 2023) BENDJAMA Nihed; BOULEKHIOUT Khouloud; MESSAOUDI Meriem (Encadrant); BELHANI Mehdi (Encadrant)
    Le but de ce travail est l'étude et la caractérisation des différant fils de soudure de nuances selon la norme AWS, d'acier faiblement allié ER70S-6, l'acier inoxydable ER316LSi et l'alliage d'aluminium ER5356 utilisé pour la réalisation des mono-cordons par le procédé Cold Metal Transfer (CMT). Ces matériaux sont également étudiés dans le cadre de la fabrication additive à arc-fil. Une multitude de caractérisations ont été réalisées pour ces mono-cordons, la microscopie optique, le MEB, le DRX, le micro-indentation Rockwell, le Potentiostat-galvanostat and le Profil-mètre 3D.
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    Etude l’effet de la concentration du dopant Mn sur les propriétés structurales et optoélectriques des couches minces de ZnS
    (Ecole Nationale Superieure de Technologie et d Ingénierie. Annaba (Ex ENSMM), 2023) BENDJAMA Nihed; MESSAOUDI Meriem (Encadrant); BELHANI Mehdi (Encadrant)
    Dans ce travail nous avons élaboré des couches minces de sulfure de zinc par la technique de spray pyrolyse sur des substrats en verre et ITO chauffés à 400 C°. L'objectif de ce travail est d’étudié l’influence de la concentration du dopage par le manganèse sur les propriétés structurale et optoélectronique de ce matériau, nous avons préparé des solutions de différentes concentrations de dopant du Mn : 0%, 1%, 3% et 5%. Pour ceci, nous avons analysées nos couches par diverses techniques : DRX, UV-Visible et Volta-lab. La caractérisation structurale par DRX a montré que les films sont bien cristallisés sur une structure cubique avec une orientation préférentielle sur le plan (111). Les mesures optiques de transmittance par UV-Vis ont confirmé que nos films présentent des propriétés de semi-conducteur transparent à la lumière visible (supérieure à 70%). La diffèrent concentration du dopage conduit à la diminution de band gap de 3.32 eV à 2.9 eV. Ce qui proposé comme couche tampon dans la conversion photovoltaïque. Les mesures par Mott-Schottky montre que le ZnS est un semi-conducteur de type n.