Réaction à l’état solide entre un film de Ni et un substrat de type III-V
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Date
2019-06-12
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Publisher
Ecole Nationale Supérieure des Mines et de la Métallurgie- Annaba
Abstract
L’objectif de cette thèse est d’étudier les phases formées lors de la réaction à l’état solide entre un film de Ni et un substrat semi-conducteur de type III-V, par diffusion réactive. A terme, il s’agit de comprendre et prédire les phénomènes
mis en jeu dans le contact Ni/In 0.53 Ga 0.47 As. En effet, ce dernier présente un intérêt technologique pour la nanoélectronique car In 0,53 Ga 0,47 As peut se substituer avantageusement au Si. Pour cela, nous avons étudié la nature et la séquence des phases formées pour les deux systèmes Ni/GaAs et Ni/InAs où Ni est déposé par pulvérisation cathodique. Les phases Ni 3 GaAs et Ni 3 InAs sont les premières phases formées, elles sont en épitaxie avec le substrat et ont la même structure hexagonale. Les résultats obtenus montrent que la couche de Ni est en épitaxie avec le substrat GaAs pour de faibles épaisseurs déposées ce qui diffère des plus grandes épaisseurs. Par ailleurs la texture de la phase de Ni 3 GaAs est différente de la phase Ni 3 InAs. A haute température (au-delà de 400°C), nous observons pour les deux systèmes la présence des nouvelles phases. Celles-ci sont de structures hexagonale et cubique pour le système Ni/InAs. Nous avons pu aussi observer dans ce travail la cinétique de formation de ces phases Ni 3 GaAs et Ni 3 InAs en film mince et conclure que la cinétique de formation de la phase Ni 3 InAs est plus lente que celle de la phase Ni 3 GaAs.