Corrélation entre cristallographie, propriétés physiques, chimiques et électriques du Si photovoltaïque
| dc.contributor.author | HOUAM Sirine | |
| dc.contributor.author | MANGELINCK Nathalie (Encadrant) | |
| dc.contributor.author | PERICHAUD Isabele (Encadrant) | |
| dc.contributor.author | KAHLOUL Latifa (Encadrant) | |
| dc.date.accessioned | 2024-05-20T09:24:02Z | |
| dc.date.available | 2024-05-20T09:24:02Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.description.abstract | La compréhension du comportement des défauts et des impuretés dans le silicium multicristallin et monocristallin revêt une importance capitale pour les applications photovoltaïques. Cela permet de comprendre et, à terme, de maîtriser les mécanismes qui limitent la fabrication et les performances des cellules solaires fabriquées à partir de ce matériau. Malgré sa position dominante dans le secteur de l'énergie solaire, le silicium multicristallin doit constamment répondre à la demande croissante de réduction des coûts de fabrication et d'amélioration des performances. Au cours de ce stage, une approche utilisant trois diagnostics complémentaires a été adoptée pour caractériser les échantillons de silicium cristallin. Cela inclut l'analyse structurelle des grains et de leur orientation cristallographique, l'analyse chimique et l'analyse électrique. La spectroscopie à photoémission des rayons X (XPS) et la spectroscopie de masse des ions secondaires (SIMS) ont été utilisée avec succès pour caractériser les impuretés chimiques. La technique de diffraction des électrons par rétrodiffusion (EBSD) a été principalement employée pour caractériser la structure des grains. Enfin, la durée de vie des porteurs minoritaires a été mesurée à l'aide de la technique de photovoltage de surface (SPV). On a conclu durant cette étude que la germination se fait principalement par maclage de type Σ3. D’une part, nous avons réussi à démontrer qu’en présence du cuivre sur la structure cristalline, la durée de vie du matériau diminue en générale au niveau des joints de macle Σ3, sauf que pour l’échantillon cast-mono, la ségrégation en Cu est plus importante au niveau du joint de mâcle Σ9. D’autre part, une meilleure durée de vie des porteurs de charges minoritaires est observée à l’intérieur du grain qu’aux joints de grains et mâcles. La complémentarité de ces techniques nous ont permis d'étudier et de mieux comprendre les phénomènes physiques liés à la formation des grains, ainsi que l'importance des macles et l'influence des impuretés légères sur les propriétés photovoltaïques. Ces avancées contribuent à l'amélioration des performances des cellules solaires à base de silicium cristallin. | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.ensti-annaba.dz:4000/handle/123456789/86 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.publisher | Ecole Nationale Supérieure de Technologie et d'Ingénierie. Annaba (Ex ENSMM) | |
| dc.subject | impuretés | |
| dc.subject | silicium multicristallin | |
| dc.subject | propriétés | |
| dc.subject | silicium monocristallin | |
| dc.subject | solidification dirigée | |
| dc.title | Corrélation entre cristallographie, propriétés physiques, chimiques et électriques du Si photovoltaïque | |
| dc.type | Thesis |