Influence de la couche intermédiaire en Titane Sur la formation des siliciures de cobalt
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Date
2024
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ECOLE NATIONALE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE ET D’INGENIERIE - ANNABA
Abstract
Le développement des télécommunications dépend du développement de nouveaux dispositifs utilisant des transistors MOS (Metal Oxide Semi conductor) ayant une largeur de grille de 65 nm. Pour ce type de technologie, les couches minces de siliciure sont utilisées pour former les contacts sur la source, le drain et la grille. Ces couches, formées par réaction à l’état solide entre un film mince métallique (usuellement Ni, Co, Ti) et le substrat Si, ont été largement intégrées dans les dispositifs microélectroniques en raison de leurs propriétés telles que leur faible résistivité électrique ainsi que leur bonne stabilité morphologique et thermique. La formation de la phase CoSi2, intéressante d’un point de vue microélectronique, est induite par la croissance de germes aux joints triples de la phase CoSi précédemment formée. Par conséquent, lors de la réduction de la dimension des dispositifs, le nombre de sites de germination diminue et la formation du CoSi2 devient plus difficile. La solution envisagée dans le cadre de ce mémoire est le dépôt d’une couche intermédiaire de Ti qui peut modifier la structure et l’épaisseur des siliciures, ainsi que la formation de CoSi2 et/ou ses propriétés.
Description
Keywords
Siliciure de cobalt ., contacts CMOS, préparation de surface, couche intermédiaire